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| 台官方發言人李慧芝。(中評社 資料照) |
中評社台北7月16日電（記者 鄭羿菲）台積電16日宣布，將增加對美投資1千億美元，再建4座晶片廠及先進封裝廠，總計對大陸投資將高達2650億美元。行政院發言人李慧芝16日晚間發新聞稿表示，尊重企業依國際市場需求擴大投資美國，藉以強化台灣產業戰略地位。將全力協助台積電在台擴廠，並持續落實“確保三個優先、維持台灣領先”政策方向，優先確保最大產能、最先進技術留在台灣。
台積電董事長暨總裁魏哲家16日於法說會中宣布，將在美國亞利桑那州加碼投資1000億美元，估計將再建置4座晶圓廠以及先進封裝廠。
李慧芝表示，這是台灣企業因應全球市場需求、人工智慧（AI）高速擴張及供應鏈區域化趨勢所進行的自主投資規劃；近年來台積電基於市場需求，逐步擴大在美、日、歐等國的國際布局，有鑑於AI快速成長趨勢，及美國是全球最大市場，政府尊重企業依國際市場需求擴大投資美國，藉以強化台灣產業戰略地位。
李慧芝說，同時，台積電也正在持續擴大投資台灣，政府將全力協助台積電在台擴廠，並持續落實“確保三個優先、維持台灣領先”政策方向，包括“優先確保最大製造產能在台灣”、“優先確保最先進技術留在台灣”及“優先維護最完整的台灣科技產業生態系”。
李慧芝指出，台積電已於法說會中說明，該公司在美國擴大投資同時，也正在台灣進行13座先進製程及先進封裝廠的興建，未來也會繼續擴大投資台灣。對此，政府會全力協助半導體產業在台灣持續擴廠，支持土地、水電、能源等基礎設施。政府正積極協助包括台積電在內之業者在台灣興建中的設廠計畫，同時也已積極盤點未來預備用地，可供於本土持續擴大投資。
李慧芝認為，國際企業也持續加碼投資台灣，今年以來，輝達持續擴大在台布局，每年在台支出已超過1000億美元；超微半導體（AMD）也宣布擴大在台投資，計畫投入超過100億美元；美光則宣布斥資約18億美元收購力積電位於苗栗銅鑼科學園區廠房，將建置先進製造設施，擴大在台高頻寬記憶體（HBM）及先進DRAM產能。
李慧芝表示，台美投資MOU載明，台灣企業自主投資2500億美元，及台灣政府以信用保證方式支持金融機構提供最高2500億美元的企業授信額度，多項非半導體232關稅優惠待遇已先行生效，以及台灣預先取得尚未推出的半導體232關稅之最惠國待遇，包含赴美投資業者享配額內免關稅、配額外最優惠稅率，以及其設廠營運所需輸美之原物料、設備、零組件等豁免額外關稅。
李慧芝說，針對個別企業所提出之赴美投資計畫，政府將持續透過已與美國政府建立的“G2G”（政府與政府）溝通機制，持續協助我方業者與美方協商個別企業享有免稅配額、豁免清單的計算與認定，確保美方未來若提出半導體232關稅，我方企業享有美方已承諾之優惠待遇。 |
